کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707452 | 1023647 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of epilayer thickness during epitaxial growth of high Ge content strained Ge/SiGe multilayers by RP-CVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we have developed a reduced pressure chemical vapor deposition (RP-CVD) epitaxial process to grow strain-balanced Ge/Si0.4Ge0.6 multilayers on 200Â mm diameter Si(1Â 0Â 0) substrates, via an intermediate relaxed Si0.2Ge0.8/Ge buffer. The results obtained indicate that with proper selection of the epitaxial growth conditions, strain-balanced multilayered heterostructures can be produced with the precise Si0.4Ge0.6 alloy content and control of the strained epilayer thicknesses to within a few monolayers. XTEM analysis clearly resolved very abrupt Ge/Si0.4Ge0.6 heterointerfaces and the sample surfaces were seen, by AFM, to be very smooth with an RMS surface roughness below 1.5Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 337-340
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 337-340
نویسندگان
M. Myronov, Xue-Chao Liu, A. Dobbie, D.R. Leadley,