کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10730203 | 1042324 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Peripheral dose measurement with a MOSFET detector
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The accuracy of a MOSFET dosimetry system with respect to peripheral therapeutic doses from high-energy X-rays has been evaluated . The results have been compared with ionisation chamber measurements in the same peripheral regions of the beam. For 6Â MV and 18Â MV X-ray beams, the MOSFET system in the high-sensitivity mode produces reproducibility of dose measurement with relative standard deviations within 1% of the maximal dose in the beam, if the measurement is made upto 15Â cm away from the beam edge. The results have shown that the MOSFET device can adequately measure peripheral doses, which would be beneficial for in vivo dose assessments in radiotherapy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Radiation and Isotopes - Volume 62, Issue 4, April 2005, Pages 631-634
Journal: Applied Radiation and Isotopes - Volume 62, Issue 4, April 2005, Pages 631-634
نویسندگان
Martin J. Butson, Tsang Cheung, Peter K.N. Yu,