کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11020959 | 1715047 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
1GigaRad TID impact on 28â¯nm HEP analog circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An in-depth analysis of modern technologies could represent the base for the success of the High Luminosity Large Hadron Collider experiments. The requirement is a new reliable electronics in 1Grad-TID environments. For the purpose, single devices in TSMC 28â¯nm bulk CMOS technology have been realized and studied. Preliminary experimental results demonstrate nMOS structures more resistant than pMOS. Nevertheless, the considerable leakage current increment is not negligible because it could affect analog circuits as the pixel readout channel hereby presented. In the particular case, the high radiation level induces a gain reduction and a slowdown of the time response.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Integration - Volume 63, September 2018, Pages 306-314
Journal: Integration - Volume 63, September 2018, Pages 306-314
نویسندگان
F. Resta, S. Gerardin, S. Mattiazzo, A. Paccagnella, M. De Matteis, C. Enz, A. Baschirotto,