کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
12018890 | 1023978 | 2019 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single- and dual-variant atomic ordering in GaAsP compositionally graded buffers on GaP and Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single- and dual-variant atomic ordering in GaAsP compositionally graded buffers on GaP and Si substrates Single- and dual-variant atomic ordering in GaAsP compositionally graded buffers on GaP and Si substrates](/preview/png/12018890.png)
چکیده انگلیسی
On Si substrates, the GaAsP buffer displays dual-variant CuPtB ordering rather than single-variant ordering due to the surface step geometry. We discuss how dual-variant ordering leads to a variable glide force, and thus has a different impact on dislocation dynamics than single-variant ordering. Because the III-V on Si nucleation procedure determines the step geometry, it also influences the dislocation dynamics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 506, 15 January 2019, Pages 61-70
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 506, 15 January 2019, Pages 61-70
نویسندگان
R.M. France, M. Feifel, J. Belz, A. Beyer, K. Volz, J. Ohlmann, D. Lackner, F. Dimroth,