کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1266947 1496838 2015 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solution processable bilayered gate dielectric towards flexible organic thin film transistors
ترجمه فارسی عنوان
دیود الکتریکی دیود الکتریکی دو طرفه قابل پردازش پذیری به ترانزیستورهای فیلم نازک آلومینیومی قابل انعطاف است
کلمات کلیدی
دستگاه انعطاف پذیر، ترانزیستور فیلم نازک آلی، دروازه دی الکتریک، عملکرد دستگاه بازیابی، پردازش راه حل،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
A low k triblock copolymer (Pluronic P123, BASF, EO20-PO70-EO20) and Polystyrene (PS) composite thin film (k ∼ 2.8) was used as a buffer layer to avoid the direct contact between the high k Polyacrylonitrile (PAN) dielectric layer (k ∼ 5.5) and organic semiconducting layer. This new bilayer gate dielectric with low k value of 3.7 is beneficial for enhancement of flexible organic thin film transistors electric performance with improved reliability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 19, April 2015, Pages 120-130
نویسندگان
, , , , , ,