کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1297218 | 1498401 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An XAS study of the defect structure of Ti-doped α-Cr2O3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The bulk defect structure in Cr2−xTixO3 (x = 0.05, 0.20 and 0.30) has been studied by X-ray absorption spectroscopy measurements at the Cr and Ti K-edges. The results show that the Ti is predominantly present in the IV oxidation state and resides on the normal Cr host lattice site. The dopant is charge compensated by Cr3+ vacancies and there is evidence for the formation of defect clusters; however, the detailed structure of these clusters could not be deduced.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 177, Issues 33–34, 15 November 2006, Pages 2939–2944
Journal: Solid State Ionics - Volume 177, Issues 33–34, 15 November 2006, Pages 2939–2944
نویسندگان
Aran N. Blacklocks, Alan Atkinson, Robert J. Packer, Shelley L.P. Savin, Alan V. Chadwick,