کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1297504 | 1498403 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect properties of Ti-doped Cr2O3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The defects in Cr2−xTixO3 (x = 0, 0.2 and 0.3) were studied by a combination of X-ray diffraction, density and electrical conductivity measurements supported by atomistic simulation. The results are consistent with the Ti being dissolved as Ti4+ compensated by Cr vacancies which associate to form complex defects of lower energy. Ti doping gives n-type semiconductivity due to a small concentration of Ti3+ in equilibrium with the complexes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 177, Issues 19–25, 15 October 2006, Pages 1767–1770
Journal: Solid State Ionics - Volume 177, Issues 19–25, 15 October 2006, Pages 1767–1770
نویسندگان
Alan Atkinson, Mark R. Levy, Severine Roche, Robert A. Rudkin,