کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1298899 | 1498394 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of proton-conducting oxides by artificial modulation of dopant distribution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Artificial lattices are synthesized by alternate deposition of the SrZrO3 (SZO) and the Y2O3 (SZO/Y artificial lattice) by Pulsed Laser Deposition (PLD) process to investigate the role of dopant cations in the proton migration. The XRD analysis of SZO/Y artificial lattices show that they are highly oriented in [001] direction epitaxially both on STO(001) and MgO(001) substrates similarly like SZO thin films. The HREM cross sectional views of SZO/Y artificial lattices show that the interface of the SZO layer and Y layer is very flat and the SZO can grow epitaxially even when Y layers are inserted. From the electric conductivity measurements, the main carrier of the SZO/Y artificial lattice is found to be proton.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 178, Issues 7–10, April 2007, Pages 685–690
Journal: Solid State Ionics - Volume 178, Issues 7–10, April 2007, Pages 685–690
نویسندگان
D. Hondo, T. Tsurui, N. Kuwata, N. Sata, F. Iguchi, H. Yugami,