کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1460119 | 989601 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon carbide nanowires grown on graphene sheets
ترجمه فارسی عنوان
نانوسیم های سیلیکون کاربید در ورق های گرافن رشد می کنند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانوسیمهای کاربید سیلیکون، گرافن، مکانیسم رشد
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Silicon carbide nanowires (SCNs) were synthesized on graphene sheets by a simple heat treatment using a mixture of Si powders and commercial graphene sheets with Fe catalyst addition. A series of analytical techniques were employed to investigate the as-grown SCNs. The SCNs were confirmed to be the cubic β-SiC and grew along their preferred direction perpendicular to (111). Most of the SCNs with the average length of about 10 μm and diameter of 60 nm lay on the graphene sheets. A few SCNs of several micrometers in length show twisted morphology. Solid–liquid–solid (SLS) and vapor–liquid–solid (VLS) mechanisms were proposed which interpret the SCNs׳ growth process on the graphene sheets and match the nucleation, growth of SCNs very well.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 41, Issue 4, May 2015, Pages 5473–5477
Journal: Ceramics International - Volume 41, Issue 4, May 2015, Pages 5473–5477
نویسندگان
Dong Wang, Chen Xue, Hua Bai, Nan Jiang,