کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1461695 | 989621 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of oxidized/nitrided Zr thin films on Si and SiC substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Comparison of oxidized/nitrided Zr thin films on Si and SiC substrates Comparison of oxidized/nitrided Zr thin films on Si and SiC substrates](/preview/png/1461695.png)
چکیده انگلیسی
This work utilizes simultaneous thermal oxidation and nitridation technique to transform sputtered Zr to ZrO2 and to Zr-oxynitride thin films on Si and SiC substrates, respectively, in nitrous oxide gas ambient. Various characterization techniques such as X-ray photoelectron spectroscopy, energy-filtered transmission electron spectroscopy, atomic force microscopy, X-ray diffraction, capacitance–voltage measurements, and leakage current density-electric field measurements were carried out to evaluate and compare the structural, chemical, and electrical properties of the films produced on both Si and SiC substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 39, Supplement 1, May 2013, Pages S475–S479
Journal: Ceramics International - Volume 39, Supplement 1, May 2013, Pages S475–S479
نویسندگان
Yew Hoong Wong, Kuan Yew Cheong,