کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1474440 991089 2014 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermodynamic calculation for the chemical vapor deposition of silicon carbonitride
ترجمه فارسی عنوان
محاسبه ترمودینامیکی برای تخمیر بخار شیمیایی کربنبرید سیلیکون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی

In order to tailor the phase composition of silicon carbonitride (SiCN) by chemical vapor deposition or chemical vapor infiltration (CVD/CVI), it is necessary to set up a series of phase diagrams at a larger temperature range from 800 K to 1800 K using SiCl4, NH3, CH4/C3H6 and H2 as precursors. The equilibrium conditions of thermodynamic calculation were determined by temperatures, total pressures, dilute gas H2 and molar ratios of reactants. CVD phase diagrams provide a qualitative description of phase composition, while the deposition efficiencies directly give the conversion extent from precursors to condensed phases. The low temperature phases (Si3N4, C) and high temperature phase (SiC) are also proved by thermodynamic calculation of CVD SiCN, which gives a clear way to conduct the experiments.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 34, Issue 15, December 2014, Pages 3607–3618
نویسندگان
, , , ,