کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484688 | 1510525 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of ballistic transport in photoluminescence excitation of Si nanocrystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
optical properties - خواص نوریsilicon - سیلیسیم Optical spectroscopy - طیف سنجی نوریLuminescence - لومینسانس Modeling and simulation - مدل سازی و شبیه سازیScanning electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی روبشیAtomic force and scanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونل زنی نیروی اتمی و اسکنNanoparticles - نانوذراتNanocrystals - نانوکریستال
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photoluminescence of Si NCs with the size (10-300Â nm) bigger than the exciton Bohr radius in the bulk Si crystals (4.8Â nm) has been considered. Photoluminescence in such NC systems is analyzed from the point of view of new concept based on the effect of hot carrier ballistic transport in excitation of suboxide defect-related photoluminescence at the Si/SiOx interface. The dependence of the 1.70Â eV PL band integrated intensity on Si NC sizes was numerically calculated on the base of the hot carrier ballistic PL model. The well correlation between calculated and experimental results has been obtained for Si NCs with the size from the 30-150Â nm range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19â25, 1 May 2008, Pages 2296-2299
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19â25, 1 May 2008, Pages 2296-2299
نویسندگان
T.V. Torchynska,