کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485007 | 1510530 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic diffusion of boron and other constituents in amorphous Si–B–C–N
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic diffusion of boron and other constituents in amorphous Si–B–C–N Atomic diffusion of boron and other constituents in amorphous Si–B–C–N](/preview/png/1485007.png)
چکیده انگلیسی
The self-diffusion of boron is studied between 1550 and 1700 °C in polymer-derived amorphous solids of composition Si3BC4.3N2. Ion implanted stable 10B isotopes are used as tracers and secondary ion mass spectrometry for depth profiling. The experimentally determined diffusivities obey an Arrhenius behavior with a high activation enthalpy of ΔH = (7.3 ± 1.3) eV and a high pre-exponential factor of D0 = 1.6 m2/s. The results are discussed in relation to the diffusivities of the other constituents (Si, C, N) and possible diffusion mechanism are suggested.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 52–54, 15 December 2007, Pages 4801–4805
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 52–54, 15 December 2007, Pages 4801–4805
نویسندگان
H. Schmidt, G. Borchardt, O. Kaïtasov, B. Lesage,