کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1491167 | 992344 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of asymmetric α-silicon nitride nanocombs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial growth of asymmetric α-silicon nitride nanocombs Epitaxial growth of asymmetric α-silicon nitride nanocombs](/preview/png/1491167.png)
چکیده انگلیسی
The asymmetric α-Si3N4 nanocombs have been prepared by direct current arc discharge method without the addition of any catalyst or template. The nanocombs are composed of closely packed Si3N4 nanowires, which grow perpendicular to the central axial nanorods in an epitaxial manner. The growth mechanism of the α-Si3N4 nanocombs can be considered as a combination of the vapor–solid mechanism and the secondary epitaxial nucleation process. The photoluminescence spectra of the nanocombs show a strong blue light emission peak at about 424 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 45, Issue 7, July 2010, Pages 888–891
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 45, Issue 7, July 2010, Pages 888–891
نویسندگان
Qiushi Wang, Qiliang Cui, Pinwen Zhu, Yinxia Jin, Jian Hao, Jian Zhang,