کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1492313 | 992376 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Heteroepitaxial growth of δ-Bi2O3 thin films on CaF2(1 1 1) by chemical vapour deposition under atmospheric pressure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have succeeded in achieving the heteroepitaxial growth of a δ-Bi2O3 thin film on a CaF2(1 1 1) substrate by means of chemical vapour deposition under atmospheric pressure. The film grew with a strong (1 1 1) orientation. From X-ray pole figures, it was observed that the δ-Bi2O3 film grew on the CaF2(1 1 1) substrate with 60° rotational in-plane domains. The growth mode was of a 3D island type, and the grain size decreased with increasing oxygen pressure during the δ-Bi2O3 film growth, improving the overall surface smoothness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 41, Issue 9, 14 September 2006, Pages 1690–1694
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 41, Issue 9, 14 September 2006, Pages 1690–1694
نویسندگان
T. Takeyama, N. Takahashi, T. Nakamura, S. Itoh,