کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1498520 1510904 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anomalous B diffusion profiles in nanocrystalline Si
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Anomalous B diffusion profiles in nanocrystalline Si
چکیده انگلیسی

B concentration profiles measured by secondary ion mass spectrometry in a 250 nm thick nanocrystalline Si (nc-Si) layer made of 50 nm wide grains show unusual diffusion profiles. The usual B diffusion model, which takes into account the variation of the B lattice diffusion coefficient with B concentration, fails to explain the profiles measured in nc-Si. In contrast, B diffusion profiles can be well fitted using a model that takes into account moving grain boundaries with a B-concentration-dependent migration rate.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 99, 1 April 2015, Pages 37–40
نویسندگان
,