کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498520 | 1510904 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anomalous B diffusion profiles in nanocrystalline Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
B concentration profiles measured by secondary ion mass spectrometry in a 250 nm thick nanocrystalline Si (nc-Si) layer made of 50 nm wide grains show unusual diffusion profiles. The usual B diffusion model, which takes into account the variation of the B lattice diffusion coefficient with B concentration, fails to explain the profiles measured in nc-Si. In contrast, B diffusion profiles can be well fitted using a model that takes into account moving grain boundaries with a B-concentration-dependent migration rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 99, 1 April 2015, Pages 37–40
Journal: Scripta Materialia - Volume 99, 1 April 2015, Pages 37–40
نویسندگان
A. Portavoce,