کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500379 | 993345 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural, electronic and energetic properties of GaN[0 0 0 1]/Ga2O3[1 0 0] heterojunctions: A first-principles density functional theory study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural, electronic and energetic properties of GaN[0 0 0 1]/Ga2O3[1 0 0] heterojunctions: A first-principles density functional theory study Structural, electronic and energetic properties of GaN[0 0 0 1]/Ga2O3[1 0 0] heterojunctions: A first-principles density functional theory study](/preview/png/1500379.png)
چکیده انگلیسی
We present first-principle calculations on the heterojunction between a wurtzite GaN(0 0 0 1) film and a monoclinic β-Ga2O3(1 0 0) substrate. The relative stability of different models of the GaN(0 0 0 1)/Ga2O3(1 0 0) interface was investigated and the most favorable interface consists of threefold- and sixfold-coordinated Ga. This interface structure gives rise to Ga-polarity in the GaN(0 0 0 1) epitaxial film. A detailed analysis of the electronic structure indicates that undistorted bonding at the interface stabilizes this structure between a wurtzite GaN(0 0 0 1) and a monoclinic β-Ga2O3(1 0 0).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 65, Issue 6, September 2011, Pages 465–468
Journal: Scripta Materialia - Volume 65, Issue 6, September 2011, Pages 465–468
نویسندگان
Po-Liang Liu, Yu-Jin Siao, Yen-Ting Wu, Chih-Hao Wang, Chien-Shun Chen,