کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523065 | 1511825 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of the ZnS thin film buffer layer for Cu(In, Ga)Se2 solar cells deposited by chemical bath deposition process with different solution concentrations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of the ZnS thin film buffer layer for Cu(In, Ga)Se2 solar cells deposited by chemical bath deposition process with different solution concentrations Characterization of the ZnS thin film buffer layer for Cu(In, Ga)Se2 solar cells deposited by chemical bath deposition process with different solution concentrations](/preview/png/1523065.png)
چکیده انگلیسی
⺠We gained ZnS film with 3.8 eV Eg. ⺠The optimal concentration of SC(NH2)2 and NH4OH for CBD-ZnS is 0.3 and 1.5 M respectively. ⺠The heterogeneous and homogeneous process happens considerably related to the concentrations of SC(NH2)2 and NH4OH.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2â3, 15 August 2012, Pages 287-292
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2â3, 15 August 2012, Pages 287-292
نویسندگان
Zhao Yang Zhong, Eou Sik Cho, Sang Jik Kwon,