کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1524370 1511836 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of In1−xGaxSb reflectivity in the far infrared
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Temperature dependence of In1−xGaxSb reflectivity in the far infrared
چکیده انگلیسی

Far infrared reflectivity spectra of polycrystalline In1−xGaxSb were measured and numerically analyzed using the classical dispersion formula and also a fitting procedure based on the modified plasmon-phonon interaction model in the temperature range from 10 K to 300 K. Optical parameters were calculated and discussed. A local mode belonging to the GaSb rich end and two-mode behavior were observed at low temperatures.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 125, Issues 1–2, 1 January 2011, Pages 72–76
نویسندگان
, , , , , , , , , , ,