کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530381 | 1511994 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InAs/GaAs quantum dots morphology: Nanometric scale HAADF simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A quantitative methodology of In distribution in nominal InAs/GaAs individual quantum dot (QD) is presented. Numerical simulations, using multislice-based approach, allow predicting high angle annular dark field (HAADF or Z-contrast) micrograph contrasts working in scanning transmission electron microscopy (STEM) mode. Even the method is adapted for nanometric scale; it is shown that its high sensitivity can reveal In-segregation in QD. The here observed samples show In diffusion below the wetting layer giving an elliptical-like shape of the observed QD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 165, Issues 1–2, 25 November 2009, Pages 88–93
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 165, Issues 1–2, 25 November 2009, Pages 88–93
نویسندگان
D. Araújo, R. El Bouayadi, M. Gutiérrez, C.E. Pastore, M. Hopkinson,