کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530643 | 1511996 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The self-interstitial in silicon and germanium
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low temperature irradiation experiments show a remarkable contrast between Si and Ge, suggesting that the behavior of self-interstitials and vacancies is very different in the two materials. The present paper reviews theoretical and experimental investigations of the defects in an attempt to understand these differences.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 112–116
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 112–116
نویسندگان
R. Jones, A. Carvalho, J.P. Goss, P.R. Briddon,