![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Point defects production and energy thresholds for displacements in crystalline and amorphous SiC
Keywords: جفت فرنکل; Threshold displacement energy; MD simulations; PKA and atom displacements; Frenkel pairs; TDE probability distributions; Tersoffâ¯+â¯ZBL potential; 3C-SiC; a-SiC;