کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530770 | 1511998 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the interfacial layer in ZnO/GaN heterostructure light-emitting diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study on the interfacial layer in ZnO/GaN heterostructure light-emitting diode Study on the interfacial layer in ZnO/GaN heterostructure light-emitting diode](/preview/png/1530770.png)
چکیده انگلیسی
Heterostructure light-emitting diodes (LEDs) were fabricated by growing Ga-doped n-ZnO and undoped ZnO layers on p-GaN/Al2O3 templates. The p–n junction showed a diode like I–V characteristic and emitted electroluminescence (EL) peaks at 430 nm, 440 nm and 480 nm along with a broad band of yellow light. An interfacial layer was observed between ZnO and GaN, identified as ZnGa2O4 by transmission electron microscopy and X-ray diffraction analysis. It was observed that thickness of the interfacial layer did not significantly affect EL characteristics of the ZnO/GaN heterostructure LED.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 157, Issues 1–3, 15 February 2009, Pages 32–35
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 157, Issues 1–3, 15 February 2009, Pages 32–35
نویسندگان
Seung-Ho Hwang, Tae-Hoon Chung, Byung-Teak Lee,