کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531806 | 1512017 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of vacancies and self-interstitials in silicon deduced from crystal growth, wafer processing, self-diffusion and metal diffusion
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Vacancies and self-interstitials in silicon are involved, in a straightforward way, in the formation of grown-in microdefects, diffusion of metals (Au, Zn), self-diffusion and installation of vacancy depth profiles in thin quenched wafers. The diffusivities and equilibrium concentrations of the intrinsic point defects, in dependence of temperature, could be deduced by analyzing these phenomena. The defect diffusivities are high while the equilibrium concentrations are remarkably low.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 134, Issues 2–3, 15 October 2006, Pages 227–232
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 134, Issues 2–3, 15 October 2006, Pages 227–232
نویسندگان
V.V. Voronkov, R. Falster,