کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531814 | 1512017 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface properties and passivation of p-Si(1 1 1) surfaces by electrochemical organic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The grafting of nitrobenzene and bromobenzene onto H-terminated p-Si(1 1 1) surfaces in the presence of HF in the aqueous diazonium salt containing solution was investigated by in situ photoluminescence (PL) and ex situ infrared ellipsometric spectroscopy (IR-SE). The PL measurements revealed that the grafting process is faster for nitrobenzene and that the Si-phenyl interface is well passivated. Aging experiments in ambient air showed that the organic layers on Si have a better stability against oxidation and therefore, against defect formation than the H-terminated Si(1 1 1) surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 134, Issues 2–3, 15 October 2006, Pages 273–276
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 134, Issues 2–3, 15 October 2006, Pages 273–276
نویسندگان
A.G. Güell, K. Roodenko, F. Yang, K. Hinrichs, M. Gensch, F. Sanz, J. Rappich,