کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1533126 | 1512544 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anomalous threshold reduction from <100> uniaxial strain for a low-threshold Ge laser
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Anomalous threshold reduction from <100> uniaxial strain for a low-threshold Ge laser Anomalous threshold reduction from <100> uniaxial strain for a low-threshold Ge laser](/preview/png/1533126.png)
چکیده انگلیسی
We theoretically investigate the effect of <100> uniaxial strain on a Ge-on-Si laser. We predict a dramatic ~200x threshold reduction upon applying sufficient uniaxial tensile strain to Ge. This anomalous reduction is explained by how the topmost valence bands split and become anisotropic with uniaxial tensile strain. Approximately 3.2% uniaxial strain is required to achieve this anomalous threshold reduction for 1Ã1019Â cmâ3 n-type doping, and a complex interaction between strain and n-type doping is observed. Achieving this critical uniaxial strain level for the anomalous threshold reduction is dramatically more relevant to practical devices than realizing a direct band gap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 379, 15 November 2016, Pages 32-35
Journal: Optics Communications - Volume 379, 15 November 2016, Pages 32-35
نویسندگان
David S. Sukhdeo, Yeji Kim, Shashank Gupta, Krishna C. Saraswat, Birendra Raj Dutt, Donguk Nam,