کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1534896 1512608 2014 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear scattering by magnetically biased semiconductor layer
ترجمه فارسی عنوان
پراکندگی غیر خطی توسط لایه نیمه هادی مغناطیسی متعادل
کلمات کلیدی
نیمه هادی، میدان مغناطیسی، غیر خطی ضعیف، تعامل سه موج، تولید فرکانس ترکیبی، پالس گاوسی،
ترجمه چکیده
تعامل غیر خطی امواج در نیمه رسانای تابشی که توسط امواج هواپیما دو تن یا دو پالس گازوسی با فرکانس ها و طول های مختلف متفاوت نشان داده شده است، در فرمولبندی مشکل خودمختار، با توجه به دینامیک غیر خطی حامل، مورد بررسی قرار می گیرد. روش ترکیبی سه موج برای مطالعه فرآیندهای غیرخطی مورد استفاده قرار می گیرد. نشان داده شده است که غیر خطی در رسانه نیمه هادی ضعیف غیرخطی منفعل دارای ماهیت مقاومت است که با پویایی حامل ارتباط دارد. نشان داده شده است که پاسخ غیر خطی لایه نیمه هادی مغناطیسی به واسطه تعویض مغناطیسی و ترکیبی از پارامترهای فیزیکی و هندسی لایه، به شدت افزایش می یابد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
The nonlinear interaction of waves in the semiconductor slab illuminated by the plane waves of two tones or two Gaussian pulses with different central frequencies and lengths is examined in the self-consistent problem formulation, taking into account the nonlinear dynamics of carriers. The three-wave mixing technique is applied to study the nonlinear processes. It has been shown that the nonlinearity in passive weakly nonlinear semiconductor medium has the resistive nature associated with the dynamics of carriers. It has been shown that the nonlinear response of the magnetoactive semiconductor layer is strongly enhanced by the magnetic bias and the combinations of layer physical and geometrical parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 315, 15 March 2014, Pages 243-252
نویسندگان
,