کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1556272 | 999181 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Type Inversion and Certain Physical Properties of Spray Pyrolysed SnO2:Al Films for Novel Transparent Electronics Applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
شیمی مواد
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Aluminium doped tin oxide films have been deposited onto glass substrates by using a simplified and low cost spray pyrolysis technique. The Al doping level varies between 0 and 30 at.% in the step of 5 at.%. The resistivity (ρ) is the minimum (0.38 Ω cm) for 20 at.% of Al doping. The possible mechanism behind the phenomenal zig-zag variation in resistivity with respect to Al doping is discussed in detail. The nature of conductivity changes from n-type to p-type when the Al doping level is 10 at.%. The results show that 20 at.% is the optimum doping level for good quality p-type SnO2:Al films suitable for transparent electronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Materials Science & Technology - Volume 30, Issue 2, February 2014, Pages 97–102
Journal: Journal of Materials Science & Technology - Volume 30, Issue 2, February 2014, Pages 97–102
نویسندگان
K. Ravichandran, K. Thirumurugan,