کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594741 | 1515674 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of ZnO thin film-nanowires hybrid homojunction on silicon substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, the formation of a p-n ZnO thin film-nanowires hybrid homojunction on silicon substrate has been investigated. P-type ZnO thin film is formed by both e-beam evaporation and RF magnetron sputtering techniques. In order to fabricate 3-dimentional hybrid structures, ZnO nanowires were grown on p-type ZnO films by metal organic chemical vapor deposition techniques. The X-ray diffraction results showed that both ZnO thin films and nanowires are c-axis oriented. The formation of p-n ZnO homojunction is verified by current-voltage measurements. Typical diode behavior and photoconductivity were observed in both designs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 33â34, September 2009, Pages 1337-1341
Journal: Solid State Communications - Volume 149, Issues 33â34, September 2009, Pages 1337-1341
نویسندگان
J.P. Kar, M. Kumar, J.H. Choi, S.N. Das, S.Y. Choi, J.M. Myoung,