کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1607264 | 1516234 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ground state properties from first principle calculations of CdSxTe1âx ternary semiconductors materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The variation of elastic constants and bulk modulus as function of x using LDA and GGA indicates that both bulk modulus and elastic constants increase when the S concentration increases. The mechanical stability criteria at zero pressure in cubic crystals are all satisfied in CdSxTe1âx; (C11 > 0, C44 > 0, C11 â C12 > 0,C11 + 2C12 > 0 and C12 < B < C11), this means that CdSxTe1âx compounds are mechanically stable at ambient pressure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 659, 25 February 2016, Pages 295-301
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 659, 25 February 2016, Pages 295-301
نویسندگان
Nawal Kheloufi, Abderrazak Bouzid,