کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1607443 | 1516235 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic phase transition and transport properties of Ti2O3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The band structure of Ti2O3 computed by means of density functional theory using the semi-local modified Becke-Johnson approximation essentially captures the semiconductor to semi-metallic transition. The temperature effects are modeled by the Ti-Ti bond distance variation, as revealed by the experiments. The low temperature phase of Ti2O3 is an indirect band gap insulator with band gap â0.14Â eV, which transforms to a state with both hole and electron bands crossing the Fermi energy, with an increase in the c-axial Ti-Ti bond distance.150
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 658, 15 February 2016, Pages 430-434
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 658, 15 February 2016, Pages 430-434
نویسندگان
Vijeta Singh, J.J. Pulikkotil,