کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1608058 1516242 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-rectifying resistive switching behavior observed in Si3N4-based resistive random access memory devices
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Self-rectifying resistive switching behavior observed in Si3N4-based resistive random access memory devices
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 651, 5 December 2015, Pages 340-343
نویسندگان
, , ,