کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1612654 | 1516307 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Local atomic structure and electrical properties of Ge20Se80âxTex (x = 0, 5, 10, and 15) glasses doped with Ho
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Local atomic structure and electrical properties of Ge20Se80âxTex (x = 0, 5, 10, and 15) glasses doped with Ho Local atomic structure and electrical properties of Ge20Se80âxTex (x = 0, 5, 10, and 15) glasses doped with Ho](/preview/png/1612654.png)
چکیده انگلیسی
For heavily doped glasses (1500 and 2000Â wt.-ppm Ho), XRD experiments, using high-energy photons, show distinct Bragg peaks stemming from a tiny fraction (about 0.25%) of crystalline phases. Crystalline component is rather homogeneously distributed within the sample. Changing level of Ho doping affects the short-distance arrangement in glasses. A higher level of Ho doping implies shortening of the inter-atomic distances, higher mean atomic density, and higher coordination numbers what suggests better atomic packing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 586, 15 February 2014, Pages 308-313
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 586, 15 February 2014, Pages 308-313
نویسندگان
M. Kubliha, P. Kostka, V. Trnovcová, J. Zavadil, J. Bednarcik, V. LabaÅ¡, J. PedlÃková, A.-Ch. Dippel, H.-P. Liermann, J. Psota,