کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1612951 | 1516308 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Se concentration dependent band gap engineering in ZnO1-xSex thin film for optoelectronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
ZnO1-xSex films with various selenium concentrations are deposited on the sapphire substrate (0 0 0 1) by pulsed laser deposition technique. Structural properties of the thin films studied by X-ray diffraction (XRD) and chemical bonding studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) reveals that Se is substituted in O site during the growth of ZnO1-xSex films. Optical properties are analyzed by UV-Visible spectrometer. From the plot for (αhÏ
)2 vs photon energy, it is inferred that the band gap energy of ZnO1-xSex gradually reduces to 2.85Â eV with increasing Se concentration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 585, 5 February 2014, Pages 94-97
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 585, 5 February 2014, Pages 94-97
نویسندگان
Jae-chul Lee, Ji-eun Lee, Ju-won Lee, Jae-choon Lee, N.G. Subramaniam, Tae-won. Kang, Rajeev Ahuja,