کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1613163 1516313 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of Mg doping on the gate bias and thermal stability of solution-processed InGaZnO thin-film transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effects of Mg doping on the gate bias and thermal stability of solution-processed InGaZnO thin-film transistors
چکیده انگلیسی
Mg-doped IGZO TFTs showed improved TFT performance and thermal stability due to fewer oxygen deficiencies and less interface electron trapping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 580, 15 December 2013, Pages 10-14
نویسندگان
, , , ,