کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1613163 | 1516313 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of Mg doping on the gate bias and thermal stability of solution-processed InGaZnO thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effects of Mg doping on the gate bias and thermal stability of solution-processed InGaZnO thin-film transistors Effects of Mg doping on the gate bias and thermal stability of solution-processed InGaZnO thin-film transistors](/preview/png/1613163.png)
چکیده انگلیسی
Mg-doped IGZO TFTs showed improved TFT performance and thermal stability due to fewer oxygen deficiencies and less interface electron trapping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 580, 15 December 2013, Pages 10-14
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 580, 15 December 2013, Pages 10-14
نویسندگان
Bo-Yuan Su, Sheng-Yuan Chu, Yung-Der Juang, Ssu-Yin Liu,