کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1614207 | 1516330 | 2013 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gap engineering of tandem structured CIGS compound absorption layer fabricated by sputtering and selenization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Systematic band gap engineering to fabricate tandem Cu(In,Ga)Se2 absorption layers. ⺠XRD shows prominent (1 1 2) reflection shift for attributed CIS, CIGS, and CGS phases. ⺠Optical transmittance and reflectance spectrum are improved towards infrared region. ⺠The Cu/In + Ga and Ga/In + Ga effect is matched with highest efficient solar cell. ⺠Tandem CIS/CIGS/CGS layer, the band gap is increased from 1.15 to 2.06 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 563, 25 June 2013, Pages 207-215
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 563, 25 June 2013, Pages 207-215
نویسندگان
San Kang, Rahul Sharma, Jae-Kwan Sim, Cheul-Ro Lee,