کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1614207 1516330 2013 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gap engineering of tandem structured CIGS compound absorption layer fabricated by sputtering and selenization
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Band gap engineering of tandem structured CIGS compound absorption layer fabricated by sputtering and selenization
چکیده انگلیسی
► Systematic band gap engineering to fabricate tandem Cu(In,Ga)Se2 absorption layers. ► XRD shows prominent (1 1 2) reflection shift for attributed CIS, CIGS, and CGS phases. ► Optical transmittance and reflectance spectrum are improved towards infrared region. ► The Cu/In + Ga and Ga/In + Ga effect is matched with highest efficient solar cell. ► Tandem CIS/CIGS/CGS layer, the band gap is increased from 1.15 to 2.06 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 563, 25 June 2013, Pages 207-215
نویسندگان
, , , ,