کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1614222 | 1516330 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystalline α-Sm2S3 nanowires: Structure and optical properties of an unusual intrinsically degenerate semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Projected density of statesSAEDEDXHRTEMDFT - DFTNanofabrication - nanofabricationEnergy Dispersive X-ray Spectroscopy - اشعه ماوراء بنفش اشعه ایکسRare earth compounds - ترکیبات نادر زمینVapor deposition - رسوب بخارChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییCVD - رسوب دهی شیمیایی بخار Electronic band structure - ساختار باند الکترونیکیComputer simulations - شبیهسازی کامپیوتریHigh Resolution Transmission Electron Microscopy - میکروسکوپ الکترونی با وضوح بالاDensity functional theory - نظریه تابعی چگالیSemiconductors - نیمه رساناSelected Area Electron Diffraction - پراش الکترونی منطقه انتخاب شده
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Developed a rapid synthetic method to generate thin films of α-Sm2S3 nanowires. ⺠Calculated the electronic structure of α-Sm2S3 by density functional theory. ⺠Predicted that α-Sm2S3 is an intrinsically degenerate p-type semiconductor. ⺠Found that the gap in the band states of α-Sm2S3 could be engineered to 1.3 eV via sulfur vacancy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 563, 25 June 2013, Pages 293-299
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 563, 25 June 2013, Pages 293-299
نویسندگان
Chris M. Marin, Lu Wang, Joseph R. Brewer, Wai-Ning Mei, Chin Li Cheung,