کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1615293 | 1516349 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A dual AlN buffer layer structure is proposed to grow AlN films. ⺠AlN films could be improved obviously by using the dual AlN buffer layer. ⺠The physical mechanism are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 544, 15 December 2012, Pages 94-98
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 544, 15 December 2012, Pages 94-98
نویسندگان
D.G. Zhao, D.S. Jiang, L.L. Wu, L.C. Le, L. Li, P. Chen, Z.S. Liu, J.J. Zhu, H. Wang, S.M. Zhang, H. Yang,