کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1615678 | 1516362 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure and impurity states of S-doped cBN: A first-principle study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We investigated electronic structure and impurity states of different S-doping levels in cBN crystal theoretically using LDA approach in the frame of DFT. ⺠Both theory and experiment indicate that S is more likely to be substituted for a B atom than an N atom. ⺠S substituted for an N atom creates shallow electron levels merged to the states at the conduction band edge, and S substituted for a B atom creates deep levels within the band gap, both forming n-type cBN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 531, 5 August 2012, Pages 82-85
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 531, 5 August 2012, Pages 82-85
نویسندگان
Y.B. Li, H.X. Jiang, G.Z. Yuan, A.L. Chen, X. Wang, T.G. Dai, H.S. Yang,