کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1616570 | 1516377 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The crystal and electronic band structure of the diamond-like semiconductor Ag2ZnSiS4
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The structure of Ag2ZnSiS4 is solved and refined in the space group Pn using single crystal X-ray diffraction. ⺠Electronic band structure calculations show that Ag2ZnSiS4 is a direct band gap semiconductor with a calculated band gap of 1.88 eV. ⺠The optical band gap of Ag2ZnSiS4 was experimentally determined as 3.28 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 516, 5 March 2012, Pages 65-72
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 516, 5 March 2012, Pages 65-72
نویسندگان
Carl D. Brunetta, Balamurugan Karuppannan, Kimberly A. Rosmus, Jennifer A. Aitken,