کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1618256 | 1005702 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of hydrogenation versus de-loading of Co and Mn doped ZnO semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of hydrogenation versus de-loading of Co and Mn doped ZnO semiconductor Study of hydrogenation versus de-loading of Co and Mn doped ZnO semiconductor](/preview/png/1618256.png)
چکیده انگلیسی
ⶠH-induced ferromagnetism in Co-doped ZnO vanishes upon its re-heating/ long storage. ⶠ“Switch” action of ferromagnetism between hydrogenation and re-heating in ZnO:CO. ⶠZnO:Co shows giant ferromagnetism on H-injection, in contrast, the ZnO:Mn does not! â¶Ferromagnetism show close relation with oxygen vacancies in magnetic semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 507, Issue 1, 24 September 2010, Pages 312-316
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 507, Issue 1, 24 September 2010, Pages 312-316
نویسندگان
Asmita Singhal,