کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1618256 1005702 2010 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of hydrogenation versus de-loading of Co and Mn doped ZnO semiconductor
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study of hydrogenation versus de-loading of Co and Mn doped ZnO semiconductor
چکیده انگلیسی
▶ H-induced ferromagnetism in Co-doped ZnO vanishes upon its re-heating/ long storage. ▶ “Switch” action of ferromagnetism between hydrogenation and re-heating in ZnO:CO. ▶ ZnO:Co shows giant ferromagnetism on H-injection, in contrast, the ZnO:Mn does not! ▶Ferromagnetism show close relation with oxygen vacancies in magnetic semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 507, Issue 1, 24 September 2010, Pages 312-316
نویسندگان
,