کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1618689 | 1516383 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanical stability of Si thin film deposited on a Ti-50.3Ni(at%) alloy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Silicon thin film annealed at 973Â K for 7.2Â ks after being deposited on a Ti-50.3Ni(at%) substrate was not detached from the substrate after 2.2% tensile deformation, which was ascribed to a diffusion bonding between the Si film and substrate. The B2-B19â² transformation start temperature (Ms) of the Ti-Ni substrate with Si thin film increased by annealing, which was ascribed to a tensile stress developed by the difference in thermal expansion coefficient between the Si film and substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 497, Issues 1â2, 14 May 2010, Pages L13-L16
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 497, Issues 1â2, 14 May 2010, Pages L13-L16
نویسندگان
Bo-min Kim, Gyu-bong Cho, Jung-pil Noh, Hyo-jun Ahn, Eun-soo Choi, Shuichi Miyazaki, Tae-hyun Nam,