کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1621694 | 1005750 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Raman spectroscopy of chalcogenide thin films prepared by PLD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Before Ag doping, binary films exhibited Ge-Se corner-sharing tetrahedra modes at 190Â cmâ1, low scattering from edge-sharing tetrahedra at 210Â cmâ1, and Se chains at 260Â cmâ1 (stretching mode). However, after the diffusion process was complete, we observed an intensity reduction of bands centered at 210Â cmâ1 and 260Â cmâ1. The spectra of the photo-diffused films were similar to those of films deposited using a ternary target. Relaxation effects in binary glasses were also analyzed. Results were compared with those of other authors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 495, Issue 2, 16 April 2010, Pages 642-645
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 495, Issue 2, 16 April 2010, Pages 642-645
نویسندگان
M. Erazú, J. Rocca, M. Fontana, A. Ureña, B. Arcondo, A. Pradel,