کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1625673 | 1516434 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ti-doped copper nitride films deposited by cylindrical magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pure and Ti-doped copper nitride films were prepared by cylindrical magnetron sputtering on glass substrates at room temperature. The preferred orientation for copper nitride films changes from [1 1 1] for undoped film to [1 0 0] for Ti-doped films. The variation of surface morphology correlates to that of preferred orientation resulting from the variation of Ti-doped content. The electrical resistivity and optical band gap increases as the Ti-doped content increases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 440, Issues 1–2, 16 August 2007, Pages 254–258
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 440, Issues 1–2, 16 August 2007, Pages 254–258
نویسندگان
X.Y. Fan, Z.G. Wu, G.A. Zhang, C. Li, B.S. Geng, H.J. Li, P.X. Yan,