کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1626851 | 1516452 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impurity band effect on TiCo1−xNixSb conduction: Donor impurities
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The role of the donor impurity band in the conduction of highly doped and compensated intermetallic semiconductors with MgAgAs type of structure was investigated. A simulation of the electronic structure for TiCo1−xNixSb semiconducting solid solution was carried out. A scheme of the impurity band transformation in TiCoSb semiconductor due to donor impurities doping was advanced. A conduction transition from activated to metallic type when the TiCo1−xNixSb solid solution composition changes was observed. This conduction transition is associated with the Anderson-type transition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 421, Issues 1–2, 14 September 2006, Pages 19–23
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 421, Issues 1–2, 14 September 2006, Pages 19–23
نویسندگان
Yu. Stadnyk, V.A. Romaka, M. Shelyapina, Yu. Gorelenko, L. Romaka, D. Fruchart, A. Tkachuk, V. Chekurin,