کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1627393 | 1516450 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
HgCdMnZnTe: Growth and physical properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results of studying the most important physical properties of a new quinary semiconductor HgCdMnZnTe solid solution are reported. It is shown that the properties of HgCdMnZnTe can make this material highly competitive with HgCdTe, which is the main material for infrared photoelectronics in the spectral ranges 3-5 and 8-14 μm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 423, Issues 1â2, 26 October 2006, Pages 139-143
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 423, Issues 1â2, 26 October 2006, Pages 139-143
نویسندگان
S.E. Ostapov, I.N. Gorbatyuk, S.G. Dremlyuzhenko, V.V. Zhikharevich, I.M. Rarenko, R.A. Zaplitnyy, I.M. Fodchuk, V.G. Deibuk, N.A. Popenko, I.V. Ivanchenko, A.A. Zhigalov, S.Yu. Karelin,