کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1635383 | 1007024 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of AIN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thick GaN layer deposited by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) GaN template with a thin low temperature (LT) AIN intermediate layer was investigated. High resolution X-ray resolution diffraction (HRXRD) shows that the crystalline quality of thick GaN layer was improved compared with the template. As confirmed by atomic force microscopy (AFM) observations, the surface morphology of AIN intermediate layer helps to improve the nucleation of GaN epilayer. Photoluminescence (PL) spectra measurement shows its high optical quality and low compressive stress, and micro Raman measurement confirms the latter result. Thus, the deposition of the LT-AIN interlayer has promoted the growth of an HVPE-GaN layer with an excellent crystalline quality.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Rare Metals - Volume 25, Issue 6, Supplement 2, December 2006, Pages 15-19
Journal: Rare Metals - Volume 25, Issue 6, Supplement 2, December 2006, Pages 15-19
نویسندگان
Chaotong LIN, Guanghui YU, Benliang LEI, Xinzhong WANG, Haohua YE, Sheng MENG, Ming QI, Aizhen LI, Gérard NOUET, Pierre RUTERANA, Jun CHEN,