کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1646452 | 1517307 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lattice bending in monocrystalline GaAs induced by nanoscratching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Lattice bending was observed for the first time in mechanically deformed GaAs. ⺠Lattice bending was demonstrated to be a new deformation pattern in GaAs. ⺠The mechanism of lattice bending in GaAs was revealed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 80, 1 August 2012, Pages 187-190
Journal: Materials Letters - Volume 80, 1 August 2012, Pages 187-190
نویسندگان
Y.Q. Wu, H. Huang, J. Zou,