کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1648185 | 1007550 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of 4H semi-insulating silicon carbide single crystals using electron beam induced current
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of 4H semi-insulating silicon carbide single crystals using electron beam induced current Characterization of 4H semi-insulating silicon carbide single crystals using electron beam induced current](/preview/png/1648185.png)
چکیده انگلیسی
In this work we demonstrate the electron beam induced current (EBIC) contrast of dislocations in semi-insulating (SI) bulk SiC single crystals. Our investigations revealed that the screw dislocations produce dark EBIC contrast indicating high leakage current in the defective regions. This type of screw dislocations are harmful for high resolution radiation detectors and should be eliminated by improving the crystal qualities. Chemical etching in molten KOH was used for dislocation mapping in the test structures and to correlate EBIC contrast with dislocations. The EBIC contrast found in our study in SI SiC is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issue 5, 15 March 2011, Pages 911–914
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issue 5, 15 March 2011, Pages 911–914
نویسندگان
Peter G. Muzykov, Ramesh Krishna, Sandip Das, Timothy Hayes, Tangali S. Sudarshan, Krishna C. Mandal,