کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1648309 | 1517324 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One-pot fabrication of hollow SiO2 nanowires via an electrospinning technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hollow SiO2 nanowires (NWs) were one-pot fabricated via an electrospinning method. Their morphologies, structures, and chemical compositions were investigated by means of scanning electron microscopy (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In order to fabricate optimum hollow SiO2 NWs, the relative volume ratio of tetraethyl orthosilicate (TEOS, an alkoxide precursor) to ethanol (solvent) was systematically controlled from 0.02 to 0.36. SEM, HRTEM, XRD, and XPS results indicate that amorphous SiO2 hollow NWs can be one-pot synthesized by using the volume ratio of 0.18 under a constant voltage of 8.0 kV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issues 15–16, August 2011, Pages 2377–2380
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issues 15–16, August 2011, Pages 2377–2380
نویسندگان
Geon-Hyoung An, Sang-Yong Jeong, Tae-Yeon Seong, Hyo-Jin Ahn,